2D Semiconductors是二維半導體材料生產商，專注于單層或多層二維材料（如過渡金屬硫化物TMDCs、黑磷、石墨烯等）的研發、生產與商業化應用。總部位于科技創新中心，公司在全球擁有數十項核心技術，并與麻省理工學院、清華大學等頂尖科研機構建立長期戰略合作。通過規模化生產與定制化服務，我們致力于推動電子器件向更輕薄、高效、低功耗的方向發展，助力碳中和目標的實現。

核心優勢

1.技術：液相剝離技術實現99.9%純度單層薄膜量產，層數控制精度達±1?；

2.規模化生產能力：月產能突破萬平方米，覆蓋從研發樣品到工業級批量的全鏈條需求；

3.材料多樣性：提供20余種二維半導體材料庫，適配光電器件、傳感器、柔性電子等多元場景；

4.質量管控體系：通過ISO 9001/14001雙認證，材料性能通過IMEC、AIST等國際機構驗證；

5.可持續發展：采用無污染制備工藝，碳排放較傳統半導體材料降低80%。

主要產品、技術介紹：

1.2'' wafer CVD Monolayers or Few-layers (Select material)

2英寸c向切割藍寶石襯底上的全覆蓋單層MoS?、MoSe?、WS?、WSe?（少層樣品可定制）。所有CVD生長的過渡金屬硫族化合物（TMDs）均表現出高發光特性，拉曼光譜研究進一步證實了單層厚度。

采用化學氣相沉積（CVD）技術合成這些單層材料，在半導體級潔凈室中使用6N級（99.9999%）高純度氣體和前驅體，制備出結晶度高、晶粒尺寸達1-50微米的大面積樣品。與常規金屬有機化學氣相沉積（MOCVD）工藝不同（后者通常存在大范圍缺陷且晶粒尺寸僅10納米至500納米），本工藝生長的樣品始終保持高結晶度、高發光性，且無碳污染層殘留。

2.As2S3 Crystal

硫化砷（As?S?）具有2:3化學計量比。經過3年累計250次生長試驗后，實現了化學計量比、大晶疇尺寸（十萬分之一的晶胞缺陷密度）以及超高純度（99.9998%）。塊體形態下，砷硫化物（As?S?）是直接帶隙半導體，帶隙約2.5 eV。與二硫化鉬類似，其具有層狀（片層）結構，層間耦合較弱，可實現單層剝離。單層厚度約為0.8 nm，理論預言的單層As?S?仍待實驗與理論突破。本產品晶體尺寸可達約8毫米，展現出優異的光致發光特性。采用先進生長技術培育8周，晶體結晶度優異，拉曼光譜顯示特征峰半高寬小于6 cm?1。As?S?晶體易于機械剝離，是二維材料研究的理想選擇。

3.2D Heterojunctions

已開發出可擴展的方法，將二維CVD生長片層背對背轉移以構建二維垂直異質結。盡管二維半導體研發團隊采用無化學轉移工藝，但預計在轉移過程中仍可能因應變、基板和缺陷等因素導致二維層物理性質發生變化。由于生產流程具有高度定制化特性，所有轉移類CVD產品一經售出概不退款。

該產品展示了我們在多種基板和異質結排布方面的技術能力。定價主要取決于基板類型、CVD單層材料以及與您的應用場景和樣品規格相關的其他技術挑戰。我們的研發團隊致力于以經濟實惠的方式為您打造定制化CVD產品。

目標客戶群體

高校與科研院所：提供高純度基礎材料支持基礎研究；

半導體晶圓廠：兼容主流CMOS工藝的二維材料代工服務；

新能源企業：鈣鈦礦太陽能電池界面修飾材料定制；

消費電子品牌：折疊屏手機鉸鏈鉸支撐材料及柔性電路基板。

常見問題與解答

Q1：二維半導體材料與傳統硅基材料相比有何優勢？

A：二維材料具備原子級厚度、超高載流子遷移率和機械柔韌性，可突破摩爾定律極限，適用于更高集成度的柔性/異構芯片設計。

Q2：材料穩定性如何保障？

A：通過表面鈍化處理與封裝技術，產品在空氣環境中可穩定保存12個月以上，特殊型號可達24個月。

Q3：是否支持小批量定制化生產？

A：是的，最小起訂量為1cm×1cm標準尺寸，交貨周期為4-6周。

Q4：是否有成功商業化案例？

A：已與OLED面板廠商合作開發透明導電薄膜，良率達95%以上。

Q5：環保合規性如何？

A：生產過程符合RoHS標準，廢水回收利用率達98%，獲LEED鉑金級綠色工廠認證。

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